Асеев Александр Леонидович

А.Л. Асеев родился 24.09.1946 г. в г. Улан-Удэ, В 1963 г. окончил школу № 3 г. Улан-Удэ. В 1968 г. - Новосибирский государственный университет. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов». В 2000 г. избирается членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»), в 2006 г. избирается действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность "физика"). Вице-президент Российской академии наук c 02.06.2008. Председатель СО РАН с 2008 г. C 2008-2013 гг., - директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Основное направление научной деятельности А.Л. Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. А.Л. Асеевым и его сотрудниками изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. Под руководством и при непосредственном участии А.Л. Асеева разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники. При активном участии А.Л. Асеева разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники.
А.Л. Асеев - член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology». А.Л. Асеев - профессор филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, Почетный профессор Бурятского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. А.Л. Асеев – автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов. А.Л. Асеев награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии.

Основание для присвоения звания «Почетный гражданин г. Улан-Удэ» - Решение Сессии Улан-Удэнского городского Совета депутатов от 25 августа 2016 года № 238 – 24.